界面态密度论文

YON界面钝化层改善HfO2/Ge界面特性的研究第2810-2814页

关键词: 界面钝化层 yon 界面态密度

2017年第11期《电子学报》

基于磷钝化栅介质的1.2kV 4H-SiC DMOSFET第2026-2029页

关键词: mosfet 磷钝化界面态密度

2018年第08期《电子学报》

近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真第3358-3362页

关键词: 光谱响应暗电流密度界面态密度

2019年第20期《材料导报》

表面处理降低GaAs界面态密度的研究第1-4页

关键词: 表面处理 gaas 界面态密度结合能

2019年第01期《电子器件》

钝化处理对Al2O3/InP MOS电容界面特性的影响第438-443页

关键词: 氮等离子体钝化硫钝化界面态密度边界陷阱密度隧穿电流

2019年第06期《半导体技术》

不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析第523-528页

关键词: 肖特基接触退火温度测试温度界面态密度

2018年第07期《半导体技术》

氮掺铟锡锌薄膜晶体管的制备及其光电特性第1622-1628页

关键词: 氧化铟锡锌薄膜晶体管射频磁控溅射氮掺杂界面态密度

2017年第12期《发光学报》

一种新型的6H—SiC MOS器件栅介质制备工艺第56-59页

关键词: 碳化硅一氧化氮退火金属一氧化物一半导体电容界面态密度可靠性

2005年第01期《固体电子学研究与进展》

具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管第543-549页

关键词: mos2场效应晶体管良好的亚阈值斜率 sio2栅介质界面态密度

2017年第05期《红外与毫米波学报》

氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响第48-52页

关键词: mos电容界面态密度

2018年第01期《半导体技术》

O2＋CHCCl3氧化对6H—SiC MOS电容界面特性的改善第536-539页

关键词: sic mos电容界面态密度可靠性三氯乙烯

2004年第05期《微电子学》

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性第1390-1395页

关键词: 半导体结构界面态密度 si衬底低介电常数界面特性损耗薄膜 srtio3 绝缘体介电性能

2005年第03期《物理学报》

4H-SiC栅氧氮化工艺优化第41-45页

关键词: mos电容氮化工艺击穿电压界面态密度

2016年第05期《控制与信息技术》

SiC高温氧化工艺开发和界面特性分析第36-38页

关键词: si氧化工艺界面态密度击穿电场

2015年第01期《控制与信息技术》

磁场增强Nb∶SrTiO3/ZnO异质结的整流特性第224-227页

关键词: 异质结整流比磁场界面态密度

2017年第02期《压电与声光》

SiO2/4H-SiC界面氮化退火第215-218页

关键词: 氮化退火界面态密度平带电压迁移率

2017年第03期《半导体技术》

4H-SiC栅氧氮化工艺优化第41-45页

关键词: mos电容氮化工艺击穿电压界面态密度

2016年第05期《大功率变流技术》

单根氧化锌纳米带／Au电极体系I-V特性的测量第320-323页

关键词: zno纳米带肖特基热垒接触电阻界面态密度

2006年第04期《电子显微学报》

氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能第468-471页

关键词: 等离子增强化学淀积 nh3等离子体氮化 x射线光电子谱界面态密度

2007年第04期《固体电子学研究与进展》

表面处理对HfO2栅介质MOS电容界面特性的影响第305-308页

关键词: 二氧化铪界面态密度边界陷阱电荷三氯乙烯

2007年第03期《固体电子学研究与进展》