作者：董升旭; 白云; 杨成樾; 汤益丹; 陈宏; 田...肖特基接触退火温度测试温度界面态密度
摘要：为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性。根据金属-绝缘层-半导体（MIS）结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度（N_（ss））的能级分布情况,N_（ss）约为1012eV~（-1）·cm~（-2）量级。退火温度升高,N_（ss）的能级分布靠近导带底;测试温度升高,N（ss）增加且其能级分布远离导带底。利用X射线光电子能谱（XPS）分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO。SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo—C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应。
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