作者：陈喜明; 李诚瞻; 赵艳黎; 邓小川; 张波mos电容氮化工艺击穿电压界面态密度
摘要：为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最关键因素。优选出栅氧的最佳氮化工艺条件,并找到氮化工艺条件对击穿电压和界面态密度的影响规律。
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《控制与信息技术》（CN：43-1546/TM）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《控制与信息技术》读者对象：国内外相关产业技术领域从事理论研究、技术创新应用、产品开发的广大工程技术人员、高等院校师生、科技及工程管理人员等。
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