作者：宋捷; 王久敏; 余林蔚; 黄信凡; 李伟; 陈...等离子增强化学淀积nh3等离子体氮化x射线光电子谱界面态密度
摘要：为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅（SiNx）薄膜的方法，采用NH。等离子体氮化、SiH4/NH3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiNx薄膜，研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH3等离子体氮化Si片得到的SiNx薄膜的组分，利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度，估算了氮化速率。用NH3和SiH4作为反应气，分别在原始硅片和经过NH3预氮化后的硅片上淀积厚度为5nm、10nm和50nm的SiNx薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质，发现单纯用NH3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜，而先用NH3氮化再淀积SiNx的样品比直接淀积SiN。的样品界面性能明显改善，界面态密度降低到1～2×10^11eV^-1cm^-2。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
杂志详情
