作者：肖和平; 王瑞瑞表面处理gaas界面态密度结合能
摘要：GaAs材料经机械研磨后,表层形成粗糙界面,用酸碱法表面处理GaAs,使Ga-O、As-O键断裂并修复粗糙界面,处理效果通过电导法测量界面态密度与XPS分析界面化合物价态来表征。结果表明酸碱处理均可降低界面态密度与表面Ga、As氧化物,且酸处理的效果优于碱处理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面态密度的降低可能主要与Ga化合物的减少相关。
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《电子器件》（CN：32-1416/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子器件》主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子材料与元器件、电光源与照明技术、电子技术应用，并涉及电子科学领域里的最新研究动态。
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