作者：程智翔; 徐钦; 刘璐界面钝化层yon界面态密度
摘要：本文采用YON界面钝化层来改善HfO2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor（MOS）器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法：在Ar＋N2氛围中溅射Y2O3靶直接淀积获得以及先在Ar＋N2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性：较小的CET（1.66 nm）,较大的k值（18.8）,较低的界面态密度（7.79×10^11eV^-1cm^-2）和等效氧化物电荷密度（-4.83×10^12cm^-2）,低的栅极漏电流（3.40×10^-4A/cm^2@Vg=V（fb）＋1 V）以及好的高场应力可靠性.
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