作者：吴海平; 徐静平; 李春霞; 梅慧兰sicmos电容界面态密度可靠性三氯乙烯
摘要：采用新颖的干O2+CHCCl3(TCE)氧化工艺,制备了P型和N型6H-SiC MOS电容器,并与常规热氧化工艺以及氧化加NO退火工艺进行了对比实验.结果表明,O2+TCE氧化不仅提高了氧化速率,而且降低了界面态密度和氧化层有效电荷密度,提高了器件可靠性.可以预测,O2+TCE氧化与湿NO退火相结合的工艺是一种有前途的制备高沟道迁移率、高可靠性SiC MOS-FET的栅介质工艺.
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