作者：李治玥; 吕英波; 赵继凤; 宋淑梅; 杨波波...氧化铟锡锌薄膜晶体管射频磁控溅射氮掺杂界面态密度
摘要：以P型〈100〉硅作为衬底,采用射频磁控溅射技术,在室温下制备了氮掺杂氧化铟锡锌薄膜晶体管（ITZO TFTs）,研究了氮气流量对氧化铟锡锌薄膜晶体管结构、光学、电学特性以及稳定性的影响。实验结果表明：在不同氮气流量条件下制备的氧化铟锡锌薄膜均为非晶态,在可见光范围内的平均透过率均在90%左右,光学带隙数值在3.28-3.32 e V之间变化。在氮气流量为4 m L/min时制备的ITZO TFTs,有源层与栅极电介质界面处的界面态密度Ns^max仅为4.3×10^11cm^-2,场效应迁移率（μFE）为18.72 cm~2/（V·s）,开关比（Ion/off）为10^6,亚阈值摆幅（S）为0.39 V/dec,电学性能最优。栅极正偏压应力测试结果表明,该器件具有最强的稳定性。因此,适量的氮掺杂可有效地实现器件氧空位的钝化,降低器件的界面态密度,提高ITZO TFTs的电学性能及稳定性。
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