作者：吴海平; 徐静平; 李春霞碳化硅一氧化氮退火金属一氧化物一半导体电容界面态密度可靠性
摘要：采用干O2+CHCCl3(TCE)氧化并进干/湿NO退火工艺生长6H-SiC MOS器件栅介质,研究了SiO2/SiC界面特性.结果表明,NO退火进一步降低了SiO2/SiC的界面态密度和边界陷阱密度,减小了高场应力下平带电压漂移,增强了器件可靠性,尤其是湿NO退火的效果更为明显.
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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