作者：赵艳黎; 李诚瞻; 蒋华平; 许恒宇si氧化工艺界面态密度击穿电场
摘要：将n型4H-Si C（0001）偏4°外延材料在1 200℃、1 250℃、1 300℃和1 350℃等4种温度条件下进行高温热氧化,生成SiO2薄膜;通过测试MOS电容结构的C-V和I-V特性,对SiO2/SiC界面特性进行了分析。结果表明,在1 350℃时,靠近导带处的界面态密度降低,这有助于生长较低缺陷的SiO2薄膜;同时,低于1 300℃时,测得SiO2薄膜击穿电场大于6 MV/cm,能满足SiC MOSFET器件的工作要求。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
