作者：陈喜明; 李诚瞻; 赵艳黎; 邓小川; 张波mos电容氮化工艺击穿电压界面态密度
摘要：为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最关键因素。优选出栅氧的最佳氮化工艺条件,并找到氮化工艺条件对击穿电压和界面态密度的影响规律。
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《大功率变流技术》是一本有较高学术价值的大型双月刊，读者对象主要为从事变流技术、电传动与控制自动化领域研究和开发的科研人员，企业领导和管理人员，以及大中专院校相关专业的师生，行业涉及交通（包括铁道交通、城市轨道交通、电动汽车等）、电力、冶炼、矿业开采、军工等。自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度，颇受业界和广大读者的关注和好评。 《大功率变流技术》杂志已正式更名为《控制与信息技术》杂志。
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