关键词: 应力感应泄漏电流  mosfet  栅氧化层  

2011年第17期 《科技创新导报》

关键词: 总剂量  x射线  试验  辐照  空间  辐射源  环境危害  在线测试  栅氧化层  辐射机理  剂量率  硅片  封装  

2005年第03期 《核电子学与探测技术》

关键词: iegt  沟槽  n型阻挡层  饱和压降  栅氧化层  

2019年第09期 《微电子学与计算机》

关键词: 计量学  厚度测量  栅氧化层  sio2  si  表面化学分析  x射线光电子能谱  关键比对  

2013年第06期 《计量学报》

关键词: 栅氧化层  可靠性评价  模型  参数提取  

2004年第02期 《电子产品可靠性与环境试验》

关键词: pmosfet  空穴局域化  栅氧化层  si帽层  sige层  缓冲层  

2004年第01期 《固体电子学研究与进展》

关键词: 电子显微镜  存储器  透射电镜  栅氧化层  集成电路  ic微结构  

2004年第05期 《半导体技术》

关键词: soi  ldmos  栅漏电容  栅氧化层  漂移区  p阱  

2005年第04期 《微电子学》

关键词: 栅氧化层  击穿  逾渗模型  缺陷产生机制  mos集成电路  

2004年第01期 《西安电子科技大学学报》

关键词: 器件退化  深亚微米  阈值电压漂移  栅氧化层  nbt  衬底  物理机理  依赖  影响  元素  

2005年第03期 《物理学报》

关键词: 功率器件  抗辐射加固  局部厚场氧化层  n体区  栅氧化层  

2017年第04期 《微电子学》

关键词: fpga  asmbl架构  ic技术  栅氧化层  动态功耗  静态功耗  使用面积  a系列  

2006年第07期 《电子设计应用》

关键词: xilinx  asmbl架构  纳米  ic技术  赛灵思公司  栅氧化层  多平台  突破性  发运  

2006年第05期 《世界电信》

关键词: fpga  竞争对手  xilinx公司  stratix  功耗  65nm工艺  altera  栅氧化层  

2007年第01期 《电子设计技术》

关键词: fpga  xilinx公司  密度  开发方法学  栅氧化层  市场营销  工艺技术  

2006年第07期 《电子设计技术》

关键词: asmbl架构  fpga  工艺  调试功能  栅氧化层  分析软件  周期时间  

2006年第06期 《今日电子》

关键词: 图形化soi  ldmos  跨导  栅氧化层  漂移区  

2007年第06期 《电子器件》

关键词: 截止频率  栅氧化层  漂移区  场极板  

2006年第06期 《微电子学》

关键词: 有限尺寸效应  铜互连  平均自由程  声波散射  物理极限  金属互连  氧化层厚度  芯片尺寸  栅氧化层  光波长  

2006年第07期 《集成电路应用》

关键词: xilinx  asmbl架构  赛灵思公司  栅氧化层  ic技术  公司介绍  动态功耗  静态功耗  使用面积  

2006年第06X期 《电子产品世界》