作者：刘红侠; 郑雪峰; 郝跃器件退化深亚微米阈值电压漂移栅氧化层nbt衬底物理机理依赖影响元素
摘要：研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度(negative bias temperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与氢相关的元素的扩散,是PMOS器件中NBT效应产生的主要原因.指出NBT导致的PMOS器件退化依赖于反应机理和扩散机理两种机理的平衡.
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