作者：孙伟锋; 俞军军; 易扬波; 陆生礼截止频率栅氧化层漂移区场极板
摘要：建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法，并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici，对截止频率ft与栅源电压Kgs和漏源电压Vds的关系进行了分析；研究了栅氧化层厚度、漂移区注入剂量、SOI层厚度和场极板长度等四个关键参数对截止频率的影响；最后，提出了提高SOI—LDMOS截止频率的方法。
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《微电子学》（CN：50-1090/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子学》报道内容有关微电子学基础理论，微电子器件与电路,集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。
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