作者：王涛; 李斌; 罗宏伟栅氧化层可靠性评价模型参数提取
摘要：介绍了薄栅氧化层TDDB可靠性评价的高温恒定电场试验方法,并完成了E模型的参数提取,同时以MOS电容栅电流Ig为失效判据,对某工艺的MOS电容栅氧化层TDDB寿命进行了评价.该试验方法解决了在高温条件下对工作器件进行可靠性评价的问题,方法简便可靠,适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《电子产品可靠性与环境试验》（CN：44-1412/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子产品可靠性与环境试验》曾获广东省优秀科技期刊、《CAJ-CD规范》执行优秀奖、2001——2002年度信息产业部电子科技期刊“编辑质量奖”。读者主要有企业和技术人员。
杂志详情
