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硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对CCQM—K32

作者:王海; 刘芬; 阚莹; 宋小平; 赵良仲; 邱丽...计量学厚度测量栅氧化层sio2si表面化学分析x射线光电子能谱关键比对

摘要:利用X射线光电子能谱技术,建立了硅片表面超薄氧化硅层厚度(小于10nm)准确测量方法。中国计量科学研究院参加了国际关键比对CCQM—K32,根据公布的国际关键比对结果,中国计量科学研究院的测量结果与参比的各国国家计量研究院的测量结果达到了等效一致,测量结果的不确定度为4.6%~7.0%。

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计量学报

《计量学报》(CN:11-1864/TB)是一本有较高学术价值的月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《计量学报》所刊登的英文文摘为《中国科学文摘》、《中国科技文摘》等收录,中文摘要为《计量测试文摘》、《中国物理文摘》等收录,部分英文摘要还为《EI》收录。

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