作者：冯建; 吴建; 吴雪; 谭开洲; 王斌; 杨永晖功率器件抗辐射加固局部厚场氧化层n体区栅氧化层
摘要：针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有：在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条件下生长栅氧化层。通过仿真分析和试验进行了验证,该器件在最劣漏偏置条件下抗总剂量达到3 k Gy,抗单粒子烧毁和单粒子栅穿的LET值为99.1 Me V·cm~2/mg。该器件适用于星用抗辐射DC-DC电源系统。
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