作者：杨荣; 罗晋生; 屠荆pmosfet空穴局域化栅氧化层si帽层sige层缓冲层
摘要：为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关系.在理论分析的基础上,以数值模拟为手段,研究了栅氧化层厚度、Si帽层厚度、SiGe层Ge组分及厚度、缓冲层厚度及衬底掺杂浓度对阈值电压、交越电压和空穴分布的影响与作用,特别强调了δ掺杂的意义.模拟和分析表明,栅氧化层厚度、Si帽层厚度、SiGe层Ge组分、衬底掺杂浓度及δ掺杂剂量是决定空穴分布的主要因素,而SiGe层厚度、缓冲层厚度和隔离层厚度对空穴分布并不敏感.最后总结了沟道反型及空穴分布随垂直结构及参数变化的一般规律,为优化器件设计提供了参考.
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