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GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究第50-55页
关键词: gan  hemt  二维电子气  压电极化  逆压电效应  临界电压  
2019年第06期 《环境技术》
SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响第86-90页
关键词: gan  hemt  辐射效应  钝化层  二维电子气  可靠性  
2019年第06期 《环境技术》
重组球形红细菌5-氨基乙酰丙酸合酶同工酶hemA和hemT的特性第369-375页
关键词: rhodobacter  sphaeroides  hema  hemt  
基于GaN-HEMT器件的双有源桥DC-DC变换器的软开关分析第534-542页
关键词: 双有源桥  软开关  死区时间  
2019年第S02期 《电工技术学报》
基于同步PWM控制的双向CLLLC谐振型直流变换器运行特性分析第543-552页
关键词: 同步pwm控制策略  双向clllc谐振型变换器  gan  hemt  平滑切换  
2019年第S02期 《电工技术学报》
F频段三倍频放大多功能芯片设计与实现第762-766页
关键词: 多功能芯片  f频段  倍频器  放大器  
2019年第10期 《半导体技术》
0.35-2GHz GaN HEMT超宽带高效率功率放大器设计第180-181页
关键词: 功率放大器  功率附加效率  匹配网络  功率增益  超宽带  匹配电路  gan  hemt  
2019年第21期 《电子世界》
基于电导法的GaN/AlGaN HEMT界面态分析第80-80页
关键词: hemt  界面态  电导法  退化  
2011年第26期 《科技创新导报》
高速增强型GaN HEMT栅驱动电路设计第94-95页
关键词: 增强型  gan  hemt  驱动电路  栅驱动  
C波段有源微波冷噪声源设计及其性能分析第2797-2802页
关键词: 有源微波冷噪声源  辐射计  定标  hemt  
2018年第11期 《电子学报》
TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录的功率水平第34-34页
关键词: hemt  si衬底  semiconductor公司  最大功率  制造  水平  
2005年第02期 《电子元器件应用》
富士通开发出低成本GaN HEMT第5-5页
关键词: 日本富士通  制造成本  gan  hemt  功率附加效率  制造技术  半绝缘  寄生电容  最大输出功率  技术制造  电极片  
2005年第05期 《半导体信息》
高功率密度GaN HEMT第24-24页
关键词: 功率密度  gan  hemt  lockheed  连续波  quint  功率损耗  微波应用  漏区  工作温度  
2004年第02期 《半导体信息》
TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录的功率水平第34-34页
关键词: gan  功率水平  大功率晶体管  si  hemt  triquint  功率密度  连续波  最大功率  击穿电压  栅长  
2005年第03期 《半导体信息》
TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录功率水平第28-29页
关键词: 功率水平  hemt  triquint  最大功率  功率密度  理查森  击穿电压  栅长  最大电流密度  大功率晶体管  
2004年第06期 《半导体信息》
功率GaN HEMT开发成功第19-19页
关键词: gan  hemt  通信容量  高密度化  信道化  截止频率  跨导  无线通信  电气工业  收发信机  电子材料  
2004年第01期 《半导体信息》
GaN HEMT功率放大器的开发第24-24页
关键词: gan  hemt  移动通信基站  输出功率  晶体结构  功率附加效率  日本富士通  可靠性数据  量产化  
2004年第03期 《半导体信息》
英飞凌推出可量产的氮化镓解决方案第3-4页
关键词: 氮化镓  英飞凌  半导体厂商  高功率密度  hemt  运行成本  资本支出  科技股  
2018年第06期 《半导体信息》
TriQuint Semiconductor开发出高功率GaN HEMT第21-21页
关键词: gan  hemt  相控阵雷达  lockheed  通信系统  大型系统  比用  工作电流  工作温度  陆基  
2004年第03期 《半导体信息》
使用独立GaN衬底提高HEMT迁移率第15-15页
关键词: gan  hemt  霍尔迁移率  器件研究  外延片  势垒层  线位  缓冲层  隔离层  
2005年第01期 《半导体信息》