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GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究
第50-55页
关键词: gan hemt 二维电子气 压电极化 逆压电效应 临界电压
2019年第06期
《环境技术》
SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响
第86-90页
关键词: gan hemt 辐射效应 钝化层 二维电子气 可靠性
2019年第06期
《环境技术》
重组球形红细菌5-氨基乙酰丙酸合酶同工酶hemA和hemT的特性
第369-375页
关键词: rhodobacter sphaeroides hema hemt
2005年第03期
《中国生物化学与分子生物学报》
基于GaN-HEMT器件的双有源桥DC-DC变换器的软开关分析
第534-542页
关键词: 双有源桥 软开关 死区时间
2019年第S02期
《电工技术学报》
基于同步PWM控制的双向CLLLC谐振型直流变换器运行特性分析
第543-552页
关键词: 同步pwm控制策略 双向clllc谐振型变换器 gan hemt 平滑切换
2019年第S02期
《电工技术学报》
F频段三倍频放大多功能芯片设计与实现
第762-766页
关键词: 多功能芯片 f频段 倍频器 放大器
2019年第10期
《半导体技术》
0.35-2GHz GaN HEMT超宽带高效率功率放大器设计
第180-181页
关键词: 功率放大器 功率附加效率 匹配网络 功率增益 超宽带 匹配电路 gan hemt
2019年第21期
《电子世界》
基于电导法的GaN/AlGaN HEMT界面态分析
第80-80页
关键词: hemt 界面态 电导法 退化
2011年第26期
《科技创新导报》
高速增强型GaN HEMT栅驱动电路设计
第94-95页
关键词: 增强型 gan hemt 驱动电路 栅驱动
2018年第22期
《电子技术与软件工程》
C波段有源微波冷噪声源设计及其性能分析
第2797-2802页
关键词: 有源微波冷噪声源 辐射计 定标 hemt
2018年第11期
《电子学报》
TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录的功率水平
第34-34页
关键词: hemt si衬底 semiconductor公司 最大功率 制造 水平
2005年第02期
《电子元器件应用》
富士通开发出低成本GaN HEMT
第5-5页
关键词: 日本富士通 制造成本 gan hemt 功率附加效率 制造技术 半绝缘 寄生电容 最大输出功率 技术制造 电极片
2005年第05期
《半导体信息》
高功率密度GaN HEMT
第24-24页
关键词: 功率密度 gan hemt lockheed 连续波 quint 功率损耗 微波应用 漏区 工作温度
2004年第02期
《半导体信息》
TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录的功率水平
第34-34页
关键词: gan 功率水平 大功率晶体管 si hemt triquint 功率密度 连续波 最大功率 击穿电压 栅长
2005年第03期
《半导体信息》
TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录功率水平
第28-29页
关键词: 功率水平 hemt triquint 最大功率 功率密度 理查森 击穿电压 栅长 最大电流密度 大功率晶体管
2004年第06期
《半导体信息》
功率GaN HEMT开发成功
第19-19页
关键词: gan hemt 通信容量 高密度化 信道化 截止频率 跨导 无线通信 电气工业 收发信机 电子材料
2004年第01期
《半导体信息》
GaN HEMT功率放大器的开发
第24-24页
关键词: gan hemt 移动通信基站 输出功率 晶体结构 功率附加效率 日本富士通 可靠性数据 量产化
2004年第03期
《半导体信息》
英飞凌推出可量产的氮化镓解决方案
第3-4页
关键词: 氮化镓 英飞凌 半导体厂商 高功率密度 hemt 运行成本 资本支出 科技股
2018年第06期
《半导体信息》
TriQuint Semiconductor开发出高功率GaN HEMT
第21-21页
关键词: gan hemt 相控阵雷达 lockheed 通信系统 大型系统 比用 工作电流 工作温度 陆基
2004年第03期
《半导体信息》
使用独立GaN衬底提高HEMT迁移率
第15-15页
关键词: gan hemt 霍尔迁移率 器件研究 外延片 势垒层 线位 缓冲层 隔离层
2005年第01期
《半导体信息》
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