作者：陈裕权日本富士通制造成本ganhemt功率附加效率制造技术半绝缘寄生电容最大输出功率技术制造电极片
摘要：<正>日本富士通研究所开发出可将GaN HEMT制造成本削减2/3的制造技术。 GaN HEMT可高压工作,其输出和效率优良,有望用作下一代移动电话基站中的高输出放大器。
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