TriQuint的GaN／Si HEMT达到创纪录的功率水平

作者：刘广荣gan功率水平大功率晶体管sihemttriquint功率密度连续波最大功率击穿电压栅长

摘要：<正>TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si 衬底AlGaN/GaN HEMT。这种器件10 GHz下的连续波输出功率密度达到7 W/mm。此结果表明, GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率 MMIC甚至更高的频率。

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