GaN HEMT功率放大器的开发

作者：孙再吉ganhemt移动通信基站输出功率晶体结构功率附加效率日本富士通可靠性数据量产化

摘要：<正> 据《Semiconductor FPD World》(日)2004年第2期报道,日本富士通研究所开发了用于第3代移动通信基站的GaN基HEMT功率放大器。该功率放大器在63V下的输出功率为174W。通过晶体结构的最佳化设计,在施加

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