作者：周慧功率密度ganhemtlockheed连续波quint功率损耗微波应用漏区工作温度
摘要：<正> Tri Quint与Lockheed Martin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaN HEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaN HEMT的功率密度比传统的E电子束及
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