作者：陈裕权功率水平hemttriquint最大功率功率密度理查森击穿电压栅长最大电流密度大功率晶体管
摘要：<正> TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底Al-GaN/GaN HEMT。该公司理查森研究室的D.Dumka及其同事报导其制造的上述器件10GHz下的连
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