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功率GaN HEMT开发成功

作者:郑冬冬ganhemt通信容量高密度化信道化截止频率跨导无线通信电气工业收发信机电子材料

摘要:<正> 据日本《电子材料》报道,日本冲电气工业公司日前开发了用于无线通信的GaN-HEMT功率器件。随着无线通信系统通信容量的增加以及多信道化的发展,在系统内要求收发信机的低功耗和高密度化。该公司为了适应新品的要求,开发了以SiG为衬底的GaN-HEMT功率器件。该器件的跨导(gm)高达500mS,过去该公司的最高值是327mS,500mS是同类器件中目前世界最高的放大水平。该器件最大振荡频率(fmax)为126GHz,截止频率(ft)为67GHz。

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