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迁移到全闪存?考虑存储架构先
第5-5页
关键词: 存储架构 闪存 迁移 数据中心 非易失性 总成本 入门级 供应商
2016年第02期
《网络安全和信息化》
满足汽车与工业应用的功能安全要求
第16-17页
关键词: 功能安全 擦除操作 非易失性
2019年第09期
《世界电子元器件》
忆容器多谐振荡器及其实验
第397-408页
关键词: 忆容器 非易失性 多谐振荡器
2019年第22期
《物理学报》
我国科学家开创第三类存储技术
第4-4页
关键词: 存储技术 科学家 非易失存储 复旦大学 存储时间 非易失性 写入速度 纳米技术
2018年第05期
《科学之友》
相变型半导体存储器研究进展
第279-286页
关键词: 半导体存储器 相变型 研究进展 抗电子干扰 flash 相变材料 结构设计 非易失性 工艺问题 研究现状 循环寿命 多级存储 耐高低温 制造工艺 sram dram 抗辐照 抗振动 器件
2005年第04期
《物理》
惠普将联合Hynix在2013年制造忆阻器产品
第-I0001页
关键词: hynix 闪存产品 惠普 制造 非易失性 速度级别 低功耗 研究员
2011年第32期
《科学技术创新》
奔跑吧 闪存
第56-页
关键词: 闪存技术 上下游产业链 软件定义 方案设计 重庆百货 海量存储 虚拟存储 安徽合力 非易失性 存储介
2015年第02期
《软件和集成电路》
中国研发性能快100万倍存储芯片
第170-170页
关键词: 存储芯片 研发 性能 中国 半导体结构 非易失性 复旦大学 dram
2018年第07期
《智能城市》
Ramtron
非易失性
串行FRAM具备20MHz无延迟写能力
第138-138页
关键词: 串行接口 fram 非易失性 international公司 延迟 串行eeprom 能力 工作电压 写操作 内存
2005年第11期
《电子元器件应用》
飞思卡尔推出4 MbMRAM
第47-47页
关键词: 推出 卡尔 2004年10月 随机存取存储器 e2prom 2005年 mram 磁化方向 隧道磁阻 sram 高集成度 dram 非易失性 存取时间 巨磁阻 高速度 内存 闪存
2005年第05期
《电子元器件应用》
莱迪斯MachXO器件超越传统的CPLD和FPGA
第110-110页
关键词: fpga cpld 超越传统 嵌入式flash 可编程逻辑器件 系统设计者 消费类电子 非易失性 逻辑实现 逻辑功能 控制逻辑 时钟管理 复位控制 汽车控制 跨越式 低容量 高密度 新器件 查找表 存储器 应用 总线 接口
2005年第08期
《电子设计应用》
东芝.NEC MRAM开发获进展
第93-93页
关键词: mram 东芝 进程 随机存取存储器 读写 非易失性 nec 功耗 移动设备 高密度
2005年第01期
《电子设计应用》
飞思卡尔推出4MbMRAM
第24-24页
关键词: bmram 随机存取存储器 磁阻 非易失性 prom 存储信息 磁化方向 存取时间 以元
2005年第01期
《半导体信息》
英飞凌打造全球尺寸最小的
非易失性
闪存单元
第30-30页
关键词: 英飞凌 非易失性 闪存芯片 存储单元 头发丝 栅电极 鳍式 场效应 三维结构
2005年第02期
《半导体信息》
RAMTRON高度集成的处理器电路系列产品
第50-50页
关键词: 系列产品 电路 高度集成 处理器 fram 系统功能 实时时钟 非易失性 监控器
2005年第09期
《工业和信息化教育》
Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器(FRAM)
第49-49页
关键词: 铁电存储器 sram 1兆位 可替代 静态随机存储器 远程信息处理 small 非易失性 操作电压 读写操作 数据系统 工业应用 供应商 型号 机顶盒 异步 丢失
2005年第07期
《工业和信息化教育》
存储卡常见故障排除
第66-66页
关键词: 存储卡 存取 电子存储 数据文件 闪存卡 数据存储 非易失性 行销 sm 方式
2004年第12期
《照相机》
Bridge 110型应变仪
第41-41页
关键词: bridge 应变仪 扭矩传感器 测量数据 压力变送器 固态存储器 palm 非易失性 数据存储
2005年第07期
《传感器世界》
Ramtron推出无线存储器MaxArias
第70-70页
关键词: maxarias ramtron 应用领域 数据采集功能 非易失性 高耐久性 测试样品 首款 存储空
2009年第05期
《国防制造技术》
铁电存储器FM31256在多用户多费率电能表中的应用
第61-61页
关键词: 铁电存储器 多费率电能表 多用户 应用 逻辑单元 12c总线 实时时钟 非易失性 复位控制
2005年第04期
《电站系统工程》
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