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迁移到全闪存?考虑存储架构先第5-5页
关键词: 存储架构  闪存  迁移  数据中心  非易失性  总成本  入门级  供应商  
满足汽车与工业应用的功能安全要求第16-17页
关键词: 功能安全  擦除操作  非易失性  
2019年第09期 《世界电子元器件》
忆容器多谐振荡器及其实验第397-408页
关键词: 忆容器  非易失性  多谐振荡器  
2019年第22期 《物理学报》
我国科学家开创第三类存储技术第4-4页
关键词: 存储技术  科学家  非易失存储  复旦大学  存储时间  非易失性  写入速度  纳米技术  
2018年第05期 《科学之友》
相变型半导体存储器研究进展第279-286页
关键词: 半导体存储器  相变型  研究进展  抗电子干扰  flash  相变材料  结构设计  非易失性  工艺问题  研究现状  循环寿命  多级存储  耐高低温  制造工艺  sram  dram  抗辐照  抗振动  器件  
2005年第04期 《物理》
惠普将联合Hynix在2013年制造忆阻器产品第-I0001页
关键词: hynix  闪存产品  惠普  制造  非易失性  速度级别  低功耗  研究员  
2011年第32期 《科学技术创新》
奔跑吧 闪存第56-页
关键词: 闪存技术  上下游产业链  软件定义  方案设计  重庆百货  海量存储  虚拟存储  安徽合力  非易失性  存储介  
2015年第02期 《软件和集成电路》
中国研发性能快100万倍存储芯片第170-170页
关键词: 存储芯片  研发  性能  中国  半导体结构  非易失性  复旦大学  dram  
2018年第07期 《智能城市》
Ramtron非易失性串行FRAM具备20MHz无延迟写能力第138-138页
关键词: 串行接口  fram  非易失性  international公司  延迟  串行eeprom  能力  工作电压  写操作  内存  
2005年第11期 《电子元器件应用》
飞思卡尔推出4 MbMRAM第47-47页
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2005年第05期 《电子元器件应用》
莱迪斯MachXO器件超越传统的CPLD和FPGA第110-110页
关键词: fpga  cpld  超越传统  嵌入式flash  可编程逻辑器件  系统设计者  消费类电子  非易失性  逻辑实现  逻辑功能  控制逻辑  时钟管理  复位控制  汽车控制  跨越式  低容量  高密度  新器件  查找表  存储器  应用  总线  接口  
2005年第08期 《电子设计应用》
东芝.NEC MRAM开发获进展第93-93页
关键词: mram  东芝  进程  随机存取存储器  读写  非易失性  nec  功耗  移动设备  高密度  
2005年第01期 《电子设计应用》
飞思卡尔推出4MbMRAM第24-24页
关键词: bmram  随机存取存储器  磁阻  非易失性  prom  存储信息  磁化方向  存取时间  以元  
2005年第01期 《半导体信息》
英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元第30-30页
关键词: 英飞凌  非易失性  闪存芯片  存储单元  头发丝  栅电极  鳍式  场效应  三维结构  
2005年第02期 《半导体信息》
RAMTRON高度集成的处理器电路系列产品第50-50页
关键词: 系列产品  电路  高度集成  处理器  fram  系统功能  实时时钟  非易失性  监控器  
Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器(FRAM)第49-49页
关键词: 铁电存储器  sram  1兆位  可替代  静态随机存储器  远程信息处理  small  非易失性  操作电压  读写操作  数据系统  工业应用  供应商  型号  机顶盒  异步  丢失  
存储卡常见故障排除第66-66页
关键词: 存储卡  存取  电子存储  数据文件  闪存卡  数据存储  非易失性  行销  sm  方式  
2004年第12期 《照相机》
Bridge 110型应变仪第41-41页
关键词: bridge  应变仪  扭矩传感器  测量数据  压力变送器  固态存储器  palm  非易失性  数据存储  
2005年第07期 《传感器世界》
Ramtron推出无线存储器MaxArias第70-70页
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2009年第05期 《国防制造技术》
铁电存储器FM31256在多用户多费率电能表中的应用第61-61页
关键词: 铁电存储器  多费率电能表  多用户  应用  逻辑单元  12c总线  实时时钟  非易失性  复位控制  
2005年第04期 《电站系统工程》