作者：刘波; 宋志棠; 封松林半导体存储器相变型研究进展抗电子干扰flash相变材料结构设计非易失性工艺问题研究现状循环寿命多级存储耐高低温制造工艺sramdram抗辐照抗振动器件
摘要：文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
