mram东芝进程随机存取存储器读写非易失性nec功耗移动设备高密度
摘要:NEC和东芝宣布,在研制磁阻随机存取存储器(MRAM)的进程中取得关键进展。MRAM技术被视为开发未来高性能移动设备的关键,两公司于2002年开始在该技术上展开合作。MRAM的特性是快速读写、高密度、无限耐久性和非易失性——断电后还能保持数据,但在商业化应用之前,面临的主要问题是单元尺寸和功耗必须降低,同时不能牺牲远行速度。
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《电子设计应用》(CN:11-4916/TN)是一本有较高学术价值的月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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