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首页 期刊 电子元器件应用 Ramtron非易失性串行FRAM具备20MHz无延迟写能力【正文】

Ramtron非易失性串行FRAM具备20MHz无延迟写能力

串行外围接口fram非易失性international公司延迟串行eeprom能力工作电压写操作内存

摘要:Ramtron International公司推出256Kb非易失性FRAM内存FM25256。该器件带有串行外围接口(SPI),可实现20MHz无延迟写操作,并可无限次数读/写,工作电压为4.0~5.5V,兼容标准串行EEPROM。

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电子元器件应用

《电子元器件应用》是一本有较高学术价值的月刊,自创刊以来,以电子元器件应用为主题,以前倨后恭器件、新设计、新技术为主线,以技术性、资料性、实用性为特色。选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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