飞思卡尔推出4MbMRAM

作者：羽冬bmram随机存取存储器磁阻非易失性prom存储信息磁化方向存取时间以元

摘要：<正>MRAM是磁阻随机存取存储器,它是利用巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)效应以元件的磁化方向为依据来存储信息。它既具有DRAM的高集成度,又具有SRAM的高速度, 并具有闪存的非易失性,是替代E2PROM和闪存的理想内存,有望成为下一代主流内存。

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