英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元

作者：程文芳英飞凌非易失性闪存芯片存储单元头发丝栅电极鳍式场效应三维结构

摘要：<正>英飞凌的专家已经成功研制目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32 Gbit的非易失性闪存芯片,相当

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