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惠普将联合Hynix在2013年制造忆阻器产品

hynix闪存产品惠普制造非易失性速度级别低功耗研究员

摘要:惠普今天宣布将在2013年左右联合Hynix共同生产以忆阻器技术为基础的非易失性内存ReRAM产品,它带来了比闪存更为低功耗以及更高的性能。高级研究员R.Stanley Williams披露了这一消息,并称“数以百计的晶圆”已经诞生,最初版本将带来较慢的速度级别,可以取代手机上的闪存产品,之后还有更快的东西出现。

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科学技术创新

《科学技术创新》(CN:23-1600/N)是一本有较高学术价值的大型旬刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《科学技术创新》杂志以刊登实用信息技术转让科研成果为主要内容,侧重于科研成果转让,同时为广大科技、经济工作者提供一个展示平台,以弘扬科教兴国、科学技术是第一生产力为办刊宗旨,读者对象为广大科技、经济教育工作者和中小企业。

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