阈值电压漂移论文

CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探第745-748页

关键词: cmos器件阈值电压漂移总剂量效应 nmosfet pmosfet 陷阱电荷界面态损伤辐照

2004年第06期《核电子学与探测技术》

90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究第36-40页

关键词: 总剂量电离效应阈值电压漂移

2018年第08期《电子与封装》

栅氧化方式对NMOS器件总剂量电离效应的影响第44-48页

关键词: 栅氧化总剂量电离效应

2017年第11期《电子与封装》

有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究第168-173页

关键词: 有机薄膜晶体管阈值电压漂移栅绝缘膜陷阱

2004年第03期《液晶与显示》

NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理第1373-1377页

关键词: 器件退化深亚微米阈值电压漂移栅氧化层 nbt 衬底物理机理依赖影响元素

2005年第03期《物理学报》

水分子对有机场效应晶体管阈值电压稳定性的影响第33-36页

关键词: 有机场效应晶体管并五苯阈值电压漂移热处理

2016年第04期《中原工学院学报》

驱动AM-OLED的2-a-Si：H TFT的设计与制作第660-667页

关键词: oled 阈值电压漂移 tft

2006年第06期《液晶与显示》

a—Si：H—TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计第491-496页

关键词: oled 阈值电压漂移电荷注入亚稳态补偿方法

2006年第05期《液晶与显示》

MOS场效应晶体管辐照特性的实验研究第38-40页

关键词: mos器件辐照效应阈值电压漂移宽长比

2006年第03期《实验技术与管理》

氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响第558-562页

关键词: 铟镓锌氧薄膜晶体管氧分压阈值电压漂移电子积累层

2016年第06期《液晶与显示》

VDMOS器件总剂量辐照阈值电压影响因素分析第34-37页

关键词: vdmos 阈值电压漂移总剂量辐照

2010年第03期《重庆三峡学院学报》

一种WXGA液晶显示器的非晶硅栅极驱动电路第249-253页

关键词: 非晶硅薄膜晶体管移位寄存器栅极驱动电路阈值电压漂移

2011年第03期《测试技术学报》

AMOLED像素电路的设计与仿真研究第550-554页

关键词: amoled 四管像素驱动电路仿真阈值电压漂移多晶硅薄膜晶体管

2011年第05期《电子器件》

有源矩阵有机电致发光像素电路的研究进展第36-42页

关键词: 有机电致发光二极管有源矩阵阈值电压漂移像素电路

2009年第02期《现代显示》

总剂量辐照加固的功率VDMOS器件第621-623页

关键词: 功率vdmos器件薄栅氧化层阈值电压漂移总剂量辐照

2008年第04期《电子科技大学学报》

IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较第147-153页

关键词: znotft igzotft 性能比较光电特性阈值电压漂移

2011年第02期《液晶与显示》

几种电流型AMOLED像素电路及其电流缩放比的分析第204-209页

关键词: 有源矩阵oled 电流型像素电路薄膜晶体管阈值电压漂移电流缩放比

2009年第02期《液晶与显示》

SOI器件的增强短沟道效应模型第560-562页

关键词: 绝缘体上硅总剂量效应沟道长度辐照阈值电压漂移

2009年第06期《半导体技术》

喷雾工艺制备的高性能有机光敏薄膜晶体管第787-790页

关键词: 喷雾工艺有机光敏薄膜晶体管可逆性阈值电压漂移

2013年第03期《强激光与粒子束》

GaN E—D HEMT集成逻辑门电路特性研究第509-513页

关键词: 铝镓氮氮化镓氮化镓增强型耗尽型高电子迁移率晶体管直接耦合场效应管逻辑逻辑门结构阈值电压漂移

2013年第06期《固体电子学研究与进展》