MOS场效应晶体管辐照特性的实验研究

作者：皇甫丽英; 金平; 勾秋静; 李冬梅mos器件辐照效应阈值电压漂移宽长比

摘要：通过对NMOS和PMOS场效应晶体管在^60coγ射线下的辐照实验，研究辐照对不同宽长比（W／L）及不同偏置电压下的MOS管的阈值电压及其转移特性的影响。实验证明辐照使MOS管的阈值电压负向漂移，辐照时非零栅源电压引起的MOS管阈值电压漂移明显大于零栅源电压情况，宽长比对阈值电压漂移量影响不大。

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