作者：李泽宏 张磊 谭开洲功率vdmos器件薄栅氧化层阈值电压漂移总剂量辐照
摘要：采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺，研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件．给出了谊器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据，通过和二维数值仿真比较，表明实验数据和仿真数据能较好吻合．对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×10^3md（Si）T，阈值电压仅漂移-1V。结果证明，工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力．
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