作者：刘佰清; 刘国柱; 吴健伟; 洪根深; 郑若成栅氧化总剂量电离效应
摘要：基于抗辐射0.6umCMOS工艺,对5V/20V&LV/HVNMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力逸500krad(Si)高低压兼容的NMOS器件。重点研究了不同的栅氧化工艺对NMOS器件总剂量辐射电离效应的影响作用。研究发现,在抗总剂量电离能力方面,湿法氧化工艺优于干法氧化工艺:即当栅氧厚度小于12.5nm时,LVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移△Vtn受栅氧化方式的影响甚小;当栅氧厚度为26nm时,HVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移△Vtn受栅氧化方式及工艺温度的影响显著。在500krad(Si)条件下,采用850℃湿氧+900℃干氧化方式的HVNMOS器件阈值电压漂移△Vtn比采用800℃湿氧氧化方式的高2倍左右。
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