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水分子对有机场效应晶体管阈值电压稳定性的影响

作者:戚辉; 郭鹏; 张雪华; 丁星星; 张莹; 李梦有机场效应晶体管并五苯阈值电压漂移热处理

摘要:以重掺杂Si片为衬底,SiO_2为栅绝缘层,并五苯为有源层,制备了有机场效应晶体管(OFETs),研究了空气中水汽对场效应性能的影响。实验表明:当器件较长时间放置在空气中时,吸附在并五苯和SiO_2接触面之间的水分子导致阈值电压漂移,器件的稳定性降低;经过热处理的器件的阈值电压漂移现象消失。提出了解释阈值电压漂移现象的模型,该模型可解释水分子在这个过程中所起的作用。

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中原工学院学报

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