作者：刘涛 刘昊 周建军 孔岑 陆海燕 董逊 张有...铝镓氮氮化镓氮化镓增强型耗尽型高电子迁移率晶体管直接耦合场效应管逻辑逻辑门结构阈值电压漂移
摘要：基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的高质量A1GaN／GaN异质结构材料，采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型／耗尽型（E／D）HEMT器件的集成，应用直接耦合场效应管逻辑（DCFL）设计并研制GaNE／DHEMT集成逻辑门电路。通过对GaNE／D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论，研究了GaNE／D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaNE／D器件存在的问题进行了分析讨论。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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