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人工晶体学报 2004年第03期杂志 文档列表

SiC单晶生长热力学和动力学的研究第283-287页

关键词: sic；  生长工艺；  热力学；  动力学；  温度梯度；  扩散系数；  砷化镓；  

6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界第288-291页

关键词: 晶体；  微管；  晶界；  透射偏光显微术；  半导体材料；  应力场；  剪切模量；  

掺钕钇铝石榴石陶瓷的制备与性能第292-295页

关键词: 钇铝石榴石；  钕；  激光陶瓷；  荧光性能；  固相反应；  激光器；  

立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究第296-300页

关键词: 立方氮化铝纳米晶；  溶剂热合成工艺；  二甲苯；  退火工艺；  杂化环反应；  三甲基咔唑；  

In：Er：LiNbO3晶体生长及光损伤性能研究第301-304页

关键词: 晶体材料；  in2o3；  er2o3；  提拉法；  分凝系数；  铌酸锂；  生长工艺；  滤波器；  延迟线；  

等径控制系统的改进及在光学级铌酸锂生长中的应用第305-309页

关键词: 等径控制系统；  铌酸锂；  生长工艺；  晶体提拉法；  控制器；  

氮化铝晶体的生长惯习面和晶体形态第310-315页

关键词: 氮化铝；  晶体；  生长惯习面；  晶体形态；  碳热还原方法；  晶须；  

碳化物价电子结构及其界面电子密度分析第316-319页

关键词: 碳化物；  价电子结构；  界面；  mc；  复合材料；  计算方法；  原位复合技术；  

成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响第320-323页

关键词: pmnt；  定向生长；  压电材料；  tgg方法；  陶瓷晶相；  

液相合成硒化镉（CdSe）热力学研究第324-327页

关键词: 硒化镉；  液相合成工艺；  cdse；  热力学；  吸热反应；  多晶材料；  

水热法合成氮化硼晶体过程中的关键影响因素第328-331页

关键词: 水热法；  氮化硼；  合成技术；  晶体；  xrd；  苯热合成法；  反应温度；  硼酸；  

同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷第332-334页

关键词: 同步辐射单色光形貌术；  半导体材料；  晶格常数；  

6H-SiC单晶（0001）Si-面的表面生长形貌第335-338页

关键词: 表面生长形貌；  生长台阶；  韵律束合现象；  半导体材料；  碳化硅；  

具有准同型相界（MPB）组成的化合物（Sr1-xBax）2NaNb5O15的晶体生长及性质研究第339-342页

关键词: mpb；  czochralski方法；  介电常数；  铌酸锶钡钠；  sbnn；  铁电单晶；  

硒化镉多晶原料的提纯第343-345页

关键词: 硒化镉；  多晶原料；  提纯工艺；  等离子体质谱分析；  热重分析；  晶体；  生长工艺；