外延生长论文_学术之家

熔化的金属也能研究第4-4页

关键词: 金属熔化外延生长晶体生长温度升高分界面液相

2005年第10X期《百科知识》

北京大学借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长第11-11页

关键词: gan薄膜外延生长宽禁带半导体石墨烯北京大学单晶

2019年第06期《半导体信息》

金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率第10-11页

关键词: 氮化镓晶体管外延生长硅衬底氮化铝镓功率密度 gan 热管理技术金刚石

2019年第06期《半导体信息》

高电导率p型AlGaN材料第-F0003页

关键词: 晶体质量受主杂质外延生长 mocvd系统 algan mg掺杂高电导率效率提升

2019年第05期《固体电子学研究与进展》

SrTiO3衬底表面外延生长TiCN薄膜工艺参数优化及疏水疏油性能第123-130页

关键词: ticn薄膜 srtio3 磁控溅射疏水疏油外延生长

2019年第11期《金属热处理》

全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成第970-977页

关键词: 外延生长

2019年第12期《微纳电子技术》

二维材料外延生长的原子尺度机理：特性与共性第222-232页

关键词: 二维层状材料外延生长范德瓦尔斯力异质结物性优化

2017年第04期《物理》

有机半导体外延生长的扫描隧道显微镜研究第897-902页

关键词: 有机半导体外延生长扫描隧道显微镜

2005年第12期《物理》

ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长第654-659页

关键词: zno一维纳米结构异质结多量子阱一维纳米线外延生长异质结构 zno 一维纳米结构纳米光电子学半导体纳米材料

2005年第09期《物理》

高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展第823-825页

关键词: 立方氮化硼薄膜带隙射频溅射外延生长相含量电子回旋共振化学气相沉积法宽带电子器件 si衬底

2004年第11期《物理》

Ge／Si（113）-（2×2）表面：自间隙原子引起的结构特征第708-712页

关键词: 原子子列总能量第一性原理能带表面外延生长显微观察发现

2004年第10期《物理》

新型半导体纳米材料实现高效光化学转化第39-39页

关键词: 半导体纳米材料光化学转化 cds量子点中国科学技术大学钝化作用光生载流子外延生长课题组

2018年第06期《中国粉体工业》

石墨烯应用与产业化发展分析第1-3页

关键词: 石墨烯碳原子片状结构石墨层曼彻斯特大学石墨片诺贝尔物理学奖安德烈洛夫外延生长

2015年第01期《中国粉体工业》

半导体所与北大合作提出新策略:石墨烯作生长缓冲层,实现高亮LED第4-4页

关键词: 外延生长石墨烯缓冲层半导体 led 氮化物薄膜合作晶体材料

2018年第06期《山东陶瓷》

日本开发8英寸SiC单晶制造技术第31-31页

关键词: sic单晶制造技术开发日本 soi基板化学气相沉积法外延生长大阪府立大学 sic晶体 sio2

2006年第01期《有色金属材料与工程》

Micro-Raman Spectroscopy for Stress Evaluation of 3C-SiC Epitaxially Grown on Si Substrate by Hot Wall CVD第803-806页

关键词: 显微喇曼光谱学应力测定热壁cvd 外延生长

2004年第05B期《材料热处理学报》

中国大陆开发出第一支近UV激光二极管第5-6页

关键词: 激光二极管 uv mocvd 近紫外电探测器超晶格外延生长多量子阱批量生产有源区

2005年第05期《半导体信息》

通用工艺与设备第19-21页

关键词: 通用工艺微细加工技术子徽工艺研究体硅激光加工技术工作原理外延生长电子束蒸发固体电子学

2005年第02期《电子科技文摘》

氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术第381-385页

关键词: 氮化镓发光二极管外延生长干法刻蚀 movpe

2004年第F01期《中国有色金属学报》

SiCp／Al复合材料与化学镀镍层结合机理研究第982-986页

关键词: 碳化硅颗粒增强铝基复合材料机理研究化学镀镍层结复合材料界面化学理论测试手段 edax 结合状态断面形貌结合机理外延生长材料表面扩散迁移吸附原子晶格匹配拉伸应力键合作用混合性质

2005年第07期《无机化学学报》