中国大陆开发出第一支近UV激光二极管

作者：陈裕权激光二极管uvmocvd近紫外电探测器超晶格外延生长多量子阱批量生产有源区

摘要：<正>Aixtron AG公司宣布中科院北京半导体研究所采用一台Thomas插口式致密耦合喷头MOCVD生长炉开发出第一支近紫外(UV)激光二极管。二年前,中科院北京半导体研究所安装了这台MOCVD生长炉。这台3×2 GaN/蓝宝石和1×4 GaN/Si MOCVD生长炉最初是用于开发短波长激光二极管和紫外光电探测器器件的。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社