金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率

氮化镓晶体管外延生长硅衬底氮化铝镓功率密度gan热管理技术金刚石

摘要：据《今日半导体》2019年5月2日报道,美国海军研究实验室(NRL)的一组研究人员声称,他们记录了氮化铝镓(AlGaN)势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流功率密度。研究人员用金刚石替换外延生长III族氮化物器件层的硅衬底,来实现晶体管的髙功率,增强热管理能力。

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