高电子迁移率晶体管论文

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性第219-224页

关键词: gan 高电子迁移率晶体管温度传感器灵敏度

2020年第04期《物理学报》

超导接收前端用制冷HEMT低噪放电控组件设计第42-47页

关键词: 超导接收前端高电子迁移率晶体管偏置电源电控组件

2019年第08期《低温与超导》

基于GaN HEMT技术的5G高线性单片集成放大器第1102-1106页

关键词: 5g 高电子迁移率晶体管功率放大器功率附加效率

2019年第06期《太赫兹科学与电子信息学报》

氮化镓基高电子迁移率晶体管Kink效应研究第858-861页

关键词: 氮化镓器件高电子迁移率晶体管 kink效应热电子

2019年第06期《微电子学》

结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响第288-294页

关键词: 高电子迁移率晶体管结构参数电学性能

2019年第24期《物理学报》

基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应第347-353页

关键词: 高电子迁移率晶体管电流崩塌效应缓冲层陷阱

2019年第24期《物理学报》

微波、毫米波单片集成电路（MIMIC）技术第31-33页

关键词: 微波单片集成电路毫米波单片集成电路高电子迁移率晶体管异质结双极晶体管

2004年第01期《集成电路通讯》

RTD-gated HEMT研究进展第4-8页

关键词: 高电子迁移率晶体管太赫兹谐振隧穿二极管等离子体

2018年第09期《信息技术与网络安全》

Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展第1577-1587页

关键词: 化合物半导体高电子迁移率晶体管 inaln gan异质结晶格匹配无应变脉冲式金属有机物化学气相淀积

2012年第12期

GaN基高电子迁移率晶体管研究进展第14-15页

关键词: gan 高电子迁移率晶体管可靠性

2018年第24期《科技资讯》

高电子迁移率晶体管功率放大器的设计第95-96页

关键词: gan 高电子迁移率晶体管放大器功率测试

2019年第21期《电子技术与软件工程》

AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管解析模型第205-208页

关键词: 高电子迁移率晶体管解析模型极化效应寄生源漏电阻

2005年第02期《电子学报》

滤波器增强的高灵敏度室温HEMT太赫兹探测器第250-257页

关键词: 探测器太赫兹高电子迁移率晶体管滤波器扫描成像

2018年第03期《光学学报》

高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管第9-9页

关键词: 高电子迁移率晶体管氮化镓磁感应相对灵敏度研究人员塞尔维亚相互作用漏极电流

2018年第05期《半导体信息》

硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管第2-4页

关键词: 三栅极多通道高电子迁移率晶体管漏极电流导通电阻 iii

2019年第01期《半导体信息》

日本富士通公司采用AIGaN间隔层和InAIGaN阻挡层将GaNHEMT的输出功率提高到19．9W／mm栅宽第6-7页

关键词: 日本富士通公司输出功率高电子迁移率晶体管阻挡层间隔层栅宽晶体结构实验室

2018年第04期《半导体信息》

用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料第23-25页

关键词: 功率电子器件混合材料高频高电子迁移率晶体管研究人员扩展缺陷氮化物碳化硅

2018年第05期《半导体信息》

基于FR4板材的3.3-3.8GHz 802.16a WiMAX低噪声放大器设计第115-120页

关键词: 低噪声放大器放大器设计 wimax 高电子迁移率晶体管板材 phemt 安捷伦科技客户端设备

2005年第08期《工业和信息化教育》

GaN HEMT死区时间的优化设置第121-124页

关键词: 高电子迁移率晶体管死区时间效率

2019年第08期《电力电子技术》

具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料第704-708页

关键词: 背势垒

2019年第09期《微纳电子技术》