用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料

功率电子器件混合材料高频高电子迁移率晶体管研究人员扩展缺陷氮化物碳化硅

摘要：瑞典的研究人员在碳化硅（SiC）上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管（T-HEMT）和其他器件。新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝（AlN）成核层,而不是大约1-2μm厚的氮化镓（GaN）缓冲层,以避免大面积扩展缺陷。

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