日本富士通公司采用AIGaN间隔层和InAIGaN阻挡层将GaNHEMT的输出功率提高到19．9W／mm栅宽

日本富士通公司输出功率高电子迁移率晶体管阻挡层间隔层栅宽晶体结构实验室

摘要：近日，日本富士通有限公司和富士通实验室有限公司宣布，他们在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中开发出一种可以增加电流和电压的晶体结构，有效地将微波频带中发射器用晶体管的输出功率增加三倍。

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