HI，欢迎来到学术之家，发表咨询：400-888-7501  订阅咨询：400-888-7502  股权代码  102064
经营许可 杂志订阅 支付方式
首页 期刊 杂志 SCI 发表 出版社
0
首页 论文大全 栅漏电容论文 列表
期刊分类
不限
期刊收录
不限
出版地区
不限
CMOS低噪声放大器的设计方法研究第118-119页
关键词: cmos  低噪声放大器  匹配网络  栅漏电容  电容交叉耦合  
2007年第08期 《中国高新科技》
SOI LDMOS栅漏电容特性的研究第352-356页
关键词: soi  ldmos  栅漏电容  栅氧化层  漂移区  p阱  
2005年第04期 《微电子学》
一种电荷平衡结构的沟槽MOSFET的优化设计第566-571页
关键词: mosfet  电荷平衡  导通电阻  栅漏电容  
2017年第04期 《微电子学》
一种快速关断沟槽型SOI LDMOS器件第243-246页
关键词: 沟槽型soi  ldmos  栅漏电容  比导通电阻  优值  
2017年第02期 《微电子学》
一种高性能快速关断型槽栅MOS器件第40-43页
关键词: 金属场板  巴利加优值  栅漏电容  氧化槽  
2017年第01期 《微电子学与计算机》
CMOS低噪声放大器的设计方法研究第118-119页
关键词: cmos  低噪声放大器  匹配网络  栅漏电容  电容交叉耦合  
2007年第08期 《中国高新技术企业》
面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗第106-110页
关键词: 槽栅mosfet  槽栅双极模式jfet  栅漏电容  埋氧化物  功耗  
2009年第08期 《电工技术学报》
基于LDMOS栅漏电容特性的研究第90-92页
关键词: 栅漏电容  漂移区  场极板  
2012年第03期 《电力电子技术》
多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型第178-182页
关键词: 多晶硅薄膜晶体管  栅漏电容  栅源电容  模型  
2011年第02期 《液晶与显示》
复合多晶硅栅LDMOS的特性研究第227-230页
关键词: 复合栅  截止频率  功函数  横向扩散金属氧化物  栅源电容  栅漏电容  
2008年第03期 《半导体技术》
屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制第199-202页
关键词: 栅漏电容  栅屏蔽层  台栅结构  屏蔽栅结构  
2013年第03期 《半导体技术》
一款VDMOS半超结元胞结构的设计第49-53页
关键词: 特征导通电阻  栅漏电容  击穿电压  半超结  
2015年第12期 《微电子学与计算机》
期刊导航