作者：樊冬冬; 汪志刚金属场板巴利加优值栅漏电容氧化槽
摘要：提出了一种高性能快速关断型槽栅MOS器件.与常规型器件相比,这种新型器件在氧化槽内引入了两个垂直场板,这不仅使得器件在漂移区内引入了两个新的电场峰值,增大了器件的击穿电压BV,而且使得器件垂直漏场板周围形成了一层浓度更大的积累层,降低了导通电阻.故提高了器件的巴利加优值FOM.由于这种新型器件纵向栅、漏场板之间存在的垂直场板使得影响器件开关速度的栅漏电容值部分转化为器件的栅源电容以及漏源电容.结果分析表明：氧化槽宽度为1.7μm、漂移区浓度为2.3×10^15cm-3时这个新型器件巴利加优值FOM提升了84.8%,栅漏电荷Q_（GD）提升了26.8%.
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