作者：张志伟 高珊 陈军宁 罗扣栅漏电容漂移区场极板
摘要：此处主要对LDMOS栅漏电容（CGD）进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的数据与软件模拟结果的对比。研究了场极板长度、场氧化层厚度、P阱注入剂量,漂移区浓度4个结构工艺参数对栅漏电容的影响。
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《电力电子技术》（CN：61-1124/TM）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电力电子技术》获全国优秀科技期刊；获机械工业部科技期刊一等奖；获陕西省科技期刊一等奖。是我国唯一的部级电力电子刊物，也是电力电子学会的会刊，面向国内外公开发行。
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