作者：田波 吴郁 黄淮 胡冬青 亢宝位槽栅mosfet槽栅双极模式jfet栅漏电容埋氧化物功耗
摘要：提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET（BTB—JFET），其面向低压高频开关应用。首次通过仿真对BTB．JFET、常规的槽栅双极模式JFET（TB-JFET）和槽栅MOSFET（T-MOSFET）等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较。仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸，并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真，结果表明，常开型BTB-JFET与TB—JFET相比，零偏压时栅漏电容cGD减小25％；当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14％和19％，而常开型BTB．JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6％。仿真结果还表明，在不同工作频率下，常闭型JFET的性能都不如T-MOSFET。样管初步测试结果证明，常开型BTB-JFET与TB-JFET相比，零偏压时栅漏电容CGD减小45％，与仿真结果相一致。
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