关键词: raman光谱  应变硅  晶格振动  

2010年第07期

关键词: 应变硅  halo掺杂沟道  非对称双栅  短沟道效应  

2019年第11期 《电子学报》

关键词: 应变硅  调制掺杂  电子面密度  阈值电压  

2005年第11期 《电子学报》

关键词: 亚阈值电流  亚阈值斜率  三材料双栅  应变硅  

2018年第11期 《电子学报》

关键词: 解决方案  纳米工艺  德州仪器  数字基带处理器  推出  无线  功耗  soc  性能  集成  2005年  工艺技术  cmos  纳米设计  纳米产品  晶体管  全功能  ti  应变硅  制造商  半导体  器件  

2005年第04期 《工业和信息化教育》

关键词: 越小越强  超强材料  应变工程  应变硅  纳米材料  带隙  激子  催化  

2018年第12期 《中国材料进展》

关键词: 英特尔公司  65纳米工艺  sram  应变硅  晶体管  

2004年第01A期 《电子产品世界》

关键词: 应变硅  高电子迁移率  空穴迁移率  工艺要求  晶格结构  器件性能  晶体结构  pmos  nmos  收缩力  应力  

2005年第05期 《微纳电子技术》

关键词: sige  应变硅  cmos器件  

2005年第01期 《微纳电子技术》

关键词: iedm  电子皮肤  应变硅  存储器  微米电子技术  纳米电子技术  

2004年第02期 《今日电子》

关键词: 硅材料  半导体技术  应变硅  soi  化合物半导体  

2004年第07期 《电子工业专用设备》

关键词: 半导体工业  硅集成电路  发展趋势  应变硅  

2005年第03期 《电子工业专用设备》

关键词: 300mm晶圆  芯片制造技术  发展趋势  90nm工艺  光刻  铜互连  低k绝缘层  应变硅  

2004年第01期 《半导体技术》

关键词: 德州仪器公司  应变硅  低功耗  晶体管  

2004年第07期 《集成电路应用》

关键词: 耗电量  instruments  芯片  德州仪器公司  成本效益  整体性能  管理技术  技术会议  积体电路  研究成果  vlsi  晶体管  大幅度  研究组  半导体  应变硅  超大型  夏威夷  电源  

2004年第13期 《中国科技信息》

关键词: 芯片功耗管理  嵌入式控制  漏电功耗  多内核处理器  应变硅  

2006年第10期 《软件》

关键词: 应变硅  金属氧化物半导体场效应晶体管  大角度会聚束电子衍射  

2007年第04期 《电子显微学报》

关键词: 技术节点  sram  离子掺杂  英特尔  应变硅  铜互连  管结构  soi  光刻  等效  

2006年第05期 《中国集成电路》

关键词: 应变硅  锗硅  迁移率增强  温度特性  

2007年第04期 《固体电子学研究与进展》

关键词: 有限元  应变硅  应变  锗硅  pmos  

2007年第06期 《微电子学》